FET "verpolt"

25/02/2015 - 19:14 von Andreas Graebe | Report spam
guten Abend,

ich möchte einen Leistungs-FET als geschaltete Klemmdiode mißbrauchen,
zur Zeit ist dort ein BUZ11 drin. Funktioniert einwandfrei, statt 500 mV
fallen nur noch etwa 25 mV ab. Was mir nun noch fehlt, ist die Theorie.
In keinem Datenblatt finde ich Angaben über die Kennlinie im 3.
Quadranten bei eingeschaltetem Transistor, immer nur die Diodenstrecke
bei Ugs=0.

Gibt es von irgendeinem Hersteller diesbezüglich Aussagen?

mfG Andreas
 

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#1 Joerg
25/02/2015 - 21:05 | Warnen spam
On 2015-02-25 10:14 AM, Andreas Graebe wrote:
guten Abend,

ich möchte einen Leistungs-FET als geschaltete Klemmdiode mißbrauchen,
zur Zeit ist dort ein BUZ11 drin. Funktioniert einwandfrei, statt 500 mV
fallen nur noch etwa 25 mV ab. Was mir nun noch fehlt, ist die Theorie.
In keinem Datenblatt finde ich Angaben über die Kennlinie im 3.
Quadranten bei eingeschaltetem Transistor, immer nur die Diodenstrecke
bei Ugs=0.

Gibt es von irgendeinem Hersteller diesbezüglich Aussagen?




Was sollte denn mehr rein also in dem BUZ11 Datenblatt?

http://www.fairchildsemi.com/datash.../BUZ11.pdf

"Rueckwaerts" ist da nur die parasitaetre (fette) Diodenstrecke, deren
Eigenschaften im Datenblatt stehen. Diese spielt jedoch keine Rolle,
wenn man den FET ueber genuegen Vgs leitend haelt. Dann ist es egal, wie
herum der Strom durch diesen FET fliesst. Rdson ist Rdson und der ist ja
ebenfalls angegeben, allerdings bei diesem FET nur bei 10V Gatespannung
im Maximalwert garantiert.

Bei Vgs=0V hast Du nur die Diodenstrecke und diverse Kapazitaeten.

Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

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