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Floating gate MOSFET Erklaerung - WO?

08/02/2010 - 14:41 von Peter Mairhofer | Report spam
Hi,

Kann es wirklich sein dass es nirgendwo Erklaerungen zu floating gate
MOSFETs gibt? Ich bin am Verzweifeln, suche seit etwa 2 Stunden herum
und finde nichts ausser oberflaechlicher Erklaerungen.

Was mich aber interessieren wuerde sind Zusammenhaenge zwischen den
Spannungen, Kapazitaeten und Ladungen. Das hoechste der Gefuehle unter
meinen Suchergebnissen sind diese Zusammenhaenge *ohne* "geladenes"
floating gate, aber das ist ja trivial (kapazitiver Spannungsteiler).

Konkret moechte ich wissen WIESO das Potential des Floating gates mit

V_floating = (C1 * VG + QF) / (C1 + C2)
^^^^

bestimmt ist (VG = Spannung am control gate, QF Ladung im floating
gate). Wie gesagt, ohne die Ladungen am floating gate ist es trivial.

Und in weiterer Folge wird nun (zu t=0) eine Gatespannung angelegt die
gross genug ist dass Elektronen tunneln koennen (Fowler Nordheim). Der
Tunnelstrom ist gegeben:

I_tunnel = A E^2 exp(-B/E)

, was mich nun interessiert ist wie sich V_floating in Abhaengigkeit von
der Zeit aendert (also V_floating(t)).

Hat irgendjemand Quellen, Literaturtipps, Internetseiten oder auch
einfach Antworten auf oben genannte Fragen?

LG,
Peter
 

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#1 Joerg
08/02/2010 - 18:41 | Warnen spam
Peter Mairhofer wrote:
Hi,

Kann es wirklich sein dass es nirgendwo Erklaerungen zu floating gate
MOSFETs gibt? Ich bin am Verzweifeln, suche seit etwa 2 Stunden herum
und finde nichts ausser oberflaechlicher Erklaerungen.

Was mich aber interessieren wuerde sind Zusammenhaenge zwischen den
Spannungen, Kapazitaeten und Ladungen. Das hoechste der Gefuehle unter
meinen Suchergebnissen sind diese Zusammenhaenge *ohne* "geladenes"
floating gate, aber das ist ja trivial (kapazitiver Spannungsteiler).

Konkret moechte ich wissen WIESO das Potential des Floating gates mit

V_floating = (C1 * VG + QF) / (C1 + C2)
^^^^

bestimmt ist (VG = Spannung am control gate, QF Ladung im floating
gate). Wie gesagt, ohne die Ladungen am floating gate ist es trivial.

Und in weiterer Folge wird nun (zu t=0) eine Gatespannung angelegt die
gross genug ist dass Elektronen tunneln koennen (Fowler Nordheim). Der
Tunnelstrom ist gegeben:

I_tunnel = A E^2 exp(-B/E)

, was mich nun interessiert ist wie sich V_floating in Abhaengigkeit von
der Zeit aendert (also V_floating(t)).

Hat irgendjemand Quellen, Literaturtipps, Internetseiten oder auch
einfach Antworten auf oben genannte Fragen?




Antworten nicht, aber vielleicht kannst Du hiermit und mit den
Literaturquellen weitermachen:

http://etd.lsu.edu/docs/available/e...thesis.pdf

Zum richtig tiefen Einsteigen wirst Du mit einiger Sicherheit einen
IEEExplore Account brauchen, oder einen Uni Account.

Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

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