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Frage zu PSPICE-Modell Mosfet

07/03/2013 - 08:30 von Uwe Berger | Report spam
Hallo,

kann mir bitte jemand erklàren, welche Rolle bei diesem Modell der 2.
Fet MOST2 spielt? (Die Diode habe ich mal abgekürzt...)
Pin 4 wird wohl das Substrat sein. Dann ist MOST1 der "normale" Fet. Mir
ist aber die Verschaltung von M2: 4 2 1 3 nicht ganz klar. Was soll
damit modelliert werden? Die VTO sind ja vollkommen verschieden.

.SUBCKT BS170/PLP 1 2 3
* 1=drain 2=gate 3=source
Cgs 2 3 12.3E-12
Cgd1 2 4 27.4E-12
Cgd2 1 4 6E-12
M1 1 2 3 3 MOST1
M2 4 2 1 3 MOST2
D1 3 1 Dbody
.MODEL MOST1 NMOS(Level=3 Kp .78u W=9.7m L=2u Rs m Vto=2 Rd=1.186)
.MODEL MOST2 NMOS(VTO=-4.73 Kp .78u W=9.7m L=2u Rs m)
.MODEL Dbody D(Is5f N=1.023 Rs=1.281 ..)
.ENDS

Vielen Dank.

MfG
Uwe
 

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#1 Leo Baumann
07/03/2013 - 14:45 | Warnen spam
Uwe Berger wrote:
Hallo,

kann mir bitte jemand erklàren, welche Rolle bei diesem Modell der 2. Fet
MOST2 spielt? (Die Diode habe ich mal abgekürzt...)
Pin 4 wird wohl das Substrat sein. Dann ist MOST1 der "normale" Fet. Mir
ist aber die Verschaltung von M2: 4 2 1 3 nicht ganz klar. Was soll damit
modelliert werden? Die VTO sind ja vollkommen verschieden.
...
Vielen Dank.



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mfG Leo

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