Gate-Widerstand bei (MOS)FET als Schalter

28/10/2007 - 06:31 von Mark Neugebauer | Report spam
Hallo zusammen,

ich verwende einen (MOS)FET - in diesem Fall P-Kanal - als Schalter.
Welche Bedeutung hat in diesem Fall der Gate-Widerstand? Ich habe mir
bereits zahlreiche Beispielschaltungen angesehen. Einige sehen einen
Gate-Widerstand im Bereich von 1k bis 10k vor - andere nicht. Bisher
konnte ich weder einen Zusammenhang erkennen noch anderswo eine
Erklàrung finden.

Vielen Dank für eine kurze Rückmeldung.

Gruß

Mark
 

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#1 Martin Laabs
28/10/2007 - 08:45 | Warnen spam
Hallo Mark,

Mark Neugebauer wrote:

ich verwende einen (MOS)FET - in diesem Fall P-Kanal - als Schalter.
Welche Bedeutung hat in diesem Fall der Gate-Widerstand?



Es gibt Konstellationen in denen der MosFET durch die Gate-
Drain Kapazitàt eine negative Impedanz an dem Gate erzeugt.
Damit fàngt der parasitàre Schwingkreis aus Zuleitungsindukti-
vitàt und den verschiedenen Kapazitàten an zu schwingen.
Das bedàmpft man nun mit den Gate Widerstànden.
Es gibt Ingenieure die diese Angstwiderstànde weg lassen weil
der Treiber nah genug am Gate sitzt und hoffentlich genug
dàmpft.
Aber ganz genau vorhersagen kann man das Verhalten nicht
und deswegen findet man oft kleine Gate Vorwiderstànde.

Ich habe mir
bereits zahlreiche Beispielschaltungen angesehen. Einige sehen einen
Gate-Widerstand im Bereich von 1k bis 10k vor



Das erscheint mir viel zu viel. Üblich sind wenige Ohm bis vielleicht
10 Ohm. Man möchte ja den MosFET sehr schnell umschalten und der
Widerstand verhindert dies weil er mit der Gate-Source Kapazitàt
ja ein RC-Glied bildet.
Schaltet man nicht oft und muss man auch nicht auf die Verluste
beim Umschalten rücksicht nehmen, kann man natürlich auch
sehr große Gate-Widerstànde verwenden. Dann macht der Einsatz
von Gate-Treibern aber gar keinen Sinn mehr und man kann
gleich irgendwelche Logik-Gatter missbrauchen.

Viele Grüße,
Martin L.

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