Heureka! (War: Spannungsfester PNP-Transistor)

09/12/2008 - 01:07 von Jens Carstens | Report spam
Moin zusammen!
Falls das Thema noch jemanden interessieren sollte:
Ich habe eine Woche lang über all die guten Ràte, die mir hier gegeben
wurden (inklusive meines Betragens, aber selbst da gehen die Meinungen
ja auseinander...) nachgedacht, und bin zu folgenden Erkenntnissen
gekommen:
Mein Design war, trotz des in der Bastelkiste gefundenen
Superendtransistors, Scheisse. (Mancher mag sich zwar an diesem harten
Wort für eine weiche Masse stören, aber es ist so...)

a.) Was ich völlig vergass, war der 2nd Breakdown. Nachdem ich in
meiner frühen Elektronikerjugend grosse Zeitungsanzeigen gelesen
hatte, dass dieser für z.B. den 2N3055 ('Das Arbeitspferd der
Elektronik') überhaupt kein Problem mehr darstelle, dachte ich, dass
dieses Thema 30 Jahre spàter komplett erledigt sein müsste. Aber weit
gefehlt... Das SOA-Diagramm im Datenblatt gibt sogar an, das maximale
Spannung, maximale Verlustleistung, maximaler Strom nicht alles sind,
sondern dass da noch der 2nd Breakdown ist, der den Mördertransistor
für meine Zwecke völlig unbrauchbar macht.
Da brauche ich mir über die Ansteuerung gar keine Sorgen mehr zu
machen...

b.) Im vorigen Thread wurde ja das Beta hochspannungsfester
PNP-Transitoren geschmàht, aber NPN sind da ja nicht besser. Davon kam
ja die ganze Misere. Ich war von der naiven Annahme ausgegangen, dass
man einen Spannungsregler für 600V genauso bauen könnte wie einen für
6V, man müsse nur dickere Transistoren nehmen. Dass die aber so gut
wie garkein Beta haben und man auf die abstrusesten Ideen verfallen
muss, um denen irgendwo da oben bei ein paar hundert Volt ihren
massigen Basisstrom kontrolliert zukommen zu lassen...

c.) Und das ganze, selbst wenn man sich diesen
PNP-Unobtainiumtransistor in SPICE herbeiphantasiert, niemals stabil
zu kriegen ist.

Ich habe also den Enddtransistor weggeworfen und mir bei Angelika ein
paar IRFBG30 bestellt. Die werden über einen Optokoppler aus einer
separaten Spannungs- (Strom- wàre hier zuviel gesagt) quelle
gesteuert, die kann bis 4kV fröhlich rumfloaten. In der Simulation(*)
kann man die ganze Sache auch nicht mit kapazitiven Lasten verwirren.
Das sieht seeehr gut aus.

Natürlich bleiben ein paar Fragen an die Fachleute übrig:

Aus thermischen Gründen muss ich ein paar der Burschen parallel
schalten. Sind da Symmetrierungswiderstànde nötig oder nicht? (Man
sagt ja, das MOSFETS selbstsymmetrierend sind)

Mancherorts werden separate Gatewiderstànde zu Bekàmpfung der
Schwingneigung empfohlen. Helfen die auch hier? Oder sind sie gar
nötig?

IdS,
bin ich mal wieder froh, daß das ganze für mich nur eine
anspruchsvolle Freizeitgestaltung und kein lebensnotwendiger
Broterwerb ist :-)

Viele Grüsse,
Jens


(*)Eine Simulation ist eine Simulation ist eine Simulation.
 

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#1 Dieter Wiedmann
09/12/2008 - 01:40 | Warnen spam
Jens Carstens schrieb:

Aus thermischen Gründen muss ich ein paar der Burschen parallel
schalten. Sind da Symmetrierungswiderstànde nötig oder nicht? (Man
sagt ja, das MOSFETS selbstsymmetrierend sind)



Nicht nötig, aber schau dennoch, dass die MOSFETs aus der selben Charge
stammen.


Mancherorts werden separate Gatewiderstànde zu Bekàmpfung der
Schwingneigung empfohlen. Helfen die auch hier? Oder sind sie gar
nötig?



Brauchst du nicht, die sind für Schaltbetrieb sinnvoll.


Gruß Dieter

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