Maximaler Strom bei BiPo Transistoren

28/08/2013 - 10:15 von Marc Santhoff | Report spam
Tag,

aus der Rubrik "was ich immer schonmal wissen wollte":

Wie kommt eigentlich der maximale Kollektorstrom für Transistoren
zustande?

Bezieht sich diese Angabe auf die maximale thermische Belastbarkeit des
ganzen Kristalls + Gehàuse (=SOA)?

Oder spielen da Strukturbreiten eine Rolle und mehr geht z.B. bei 1/10
Uce_max trotzdem nicht? Also ein 50_V-Transistor mit max 1_A an 5_V kann
trotzdem nur 1_A vertragen?

Ich könnte ja ein paar Exemplare frittieren, aber so viel schlauer
macht micht das für's Allgemeine auch nicht.

Marc
 

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#1 MaWin
28/08/2013 - 11:44 | Warnen spam
"Marc Santhoff" schrieb im Newsbeitrag
news:

Oder spielen da Strukturbreiten eine Rolle und mehr geht z.B. bei 1/10
Uce_max trotzdem nicht?



Es spielt alles eine Rolle.

IC ist immer der maximalwert bei optimal durchgeschaltetem Transistor,
also meist IB=IC/10 in Sàttigung und durch die Bonddràhte des Gehàuses
bestimmt, oder die Metallisierung auf dem Chip.

Wenn die Spannung höher wird, weil der Transistor nicht vollstàndig in
Sàttigung durchgeschaltet ist, greift das SOA Diagramm, bei dem die DC
Kurve die Verlustleistung des Gehàuses bei optimaler Kühlung (also in
20 GardC kaltem Wasser) angibt.

Der second breakdown ist nicht durch die Gesamtverlusleistung, sondern
durch lokale hot spots auf dem Chip begründet.

Also ein 50_V-Transistor mit max 1_A an 5_V kann
trotzdem nur 1_A vertragen?



Wahrschienlich nicht mal das. Maximelwerte gelten nicht GLEICHZEITIG
(50V UND 1A), sondern gegenseitig ausschliesslich (maximale 50V bei
vernachlàssigerem Strom, oder maximal 1A bei vernachlàssigrere Spannung)
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
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