Paranoide Schutzbeschaltung am FET - Praxis

28/04/2015 - 21:39 von Timm Reinisch | Report spam
Hallo liebe Leute in dse,

ich finde keine Quelle, in der alle drei FET-Schutzbeschaltungen
aufgeführt sind, die ich bei Recherchen finden konnte. Die Kombination
D3/D4 (siehe Bild) habe ich gar nicht finden können, obwohl sie mir
recht logisch erscheint.

Ich habe hier mal alle drei Beschaltungen eingezeichnet und würde nun
gern wissen, ob das so richtig ist und ob die folgenden Werte richtig
sind:

http://privatfrickler.de/wp-content...altung.png

Also, so richtig?:

Ich nehme mal an, der FET „kann” 30 V Uds und ich schalte maximal 10 V

D4/D3

D4 muss dann mindestens 10 V aushalten könnte aber auch eine höhere
Spannungsfestigkeit haben, das ist eigtl. egal. Sperrspannung muss
mindestens Vgate-Vdrain betragen.
D3 24 V


D2

D2 könnte zB auf 16 begrenzen


D1

Für D1 könnte ich zb auch 16 V nehmen, wenn ich maxim 10 V Uds
verwenden will in jedem Fall 30V oder weniger.


So richtig?

Vielen Dank für Kommentare und sachdienliche Hinweise

Timm
 

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#1 Marcel Mueller
28/04/2015 - 23:32 | Warnen spam
On 28.04.15 21.39, Timm Reinisch wrote:
Hallo liebe Leute in dse,

ich finde keine Quelle, in der alle drei FET-Schutzbeschaltungen
aufgeführt sind, die ich bei Recherchen finden konnte. Die Kombination
D3/D4 (siehe Bild) habe ich gar nicht finden können, obwohl sie mir
recht logisch erscheint.

Ich habe hier mal alle drei Beschaltungen eingezeichnet und würde nun
gern wissen, ob das so richtig ist und ob die folgenden Werte richtig sind:

http://privatfrickler.de/wp-content...altung.png



D3/D4 macht man üblicherweise so nicht. Das könnte mehr schaden als
nutzen. Üblicherweise ist Uds spezifiziert, dafür ist D1, die allerdings
je nach Stromlieferfàhigkeit der Quelle schnell zu Grillgut wird.
Kurzum, das ist in der Form eher selten. Nur bei Umgebungen, wo man mit
kurzen Spannungsspitzen rechnen muss.

Des Weiteren ist Ugs spezifiziert. Dafür reicht D2. Wenn man den FET
schnell ansteuern will, sollte man allerdings auch negative
Gate-Spannungen erlauben, dann geht er schneller zu. In dem Fall müsste
man D2 durch antiserielle Z-Dioden ersetzen, um die üblicherweise ±20V
einzuhalten.

Ich nehme mal an, der FET „kann” 30 V Uds und ich schalte maximal 10 V

D4/D3



unnötig bzw. sinnlos.

D2

D2 könnte zB auf 16 begrenzen



OK.


D1

Für D1 könnte ich zb auch 16 V nehmen, wenn ich maxim 10 V Uds verwenden
will in jedem Fall 30V oder weniger.



Toleranzen berücksichtigen. Eine 30V Diode kann auch mal 33V haben.

Aber eine D1 müsste den Maximalstrom abkönnen, um zu überleben. Das ist
ein Vielfaches der Verlustleistung eines als Schalter genutzten FETs.
Die Auslegung ist also je nach Gegebenheiten Sensibel.

Alternative Schutzmöglichkeit könnte ein Crowbar sein, der bei
Überspannung eine Schmelzsicherung auslöst.


Marcel

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