Samsung und GLOBALFOUNDRIES gehen strategische Partnerschaft ein: Angebot für 14-nm-FinFET-Halbleitertechnologie aus mehreren Quellen

17/04/2014 - 22:35 von Business Wire

Samsung und GLOBALFOUNDRIES gehen strategische Partnerschaft ein: Angebot für 14-nm-FinFET-Halbleitertechnologie aus mehreren QuellenGemeinsame Technologie ermöglicht globale 14-nm-FinFET-Halbleiterfertigung in den USA und Korea.

Samsung Electronics Co., Ltd. und GLOBALFOUNDRIES geben eine neue strategische Partnerschaft bekannt, um weltweit die Fertigungskapazität für 14-Nanometer (nm) FinFET-Prozesstechnologie bereitzustellen. Erstmals wird die fortschrittlichste 14-nm-FinFET-Technologie sowohl bei Samsung als auch bei GLOBALFOUNDRIES verfügbar sein, wodurch für Kunden eine Versorgung sichergestellt wird, die nur durch wahre Konstruktionsdesignkompatibilität über mehrere weltweit verteilte Quellen hinweg erreicht werden kann. Im Rahmen der neuen Partnerschaft werden die weltweiten ultramodernen Halbleiter-Fertigungskapazitäten der beiden Unternehmen ausgenutzt. Die Serienfertigung wird in den Produktionsstätten von Samsung in Hwaseong (Korea) und in Austin (Texas) sowie in der Produktionsstätte von GLOBALFOUNDRIES in Saratoga (New York) stattfinden.

Der von Samsung entwickelte und an GLOBALFOUNDRIES lizensierte 14-nm-FinFET-Prozess basiert auf einer Technologieplattform, die sich bereits als führende Entwurfsmethode für die massenproduzierte, stromsparende SoC (system-on-chip)-Technik bewährt hat. Die Plattform nutzt die Vorteile dreidimensionaler, vollständig entladener FinFET-Transistoren, um die Einschränkungen der Planartransistor-Technologie zu überwinden. Damit wird eine bis zu 20 Prozent höhere Geschwindigkeit erreicht und 35 Prozent weniger Strom verbraucht bei einer 15-Prozent-Flächenskalierung im Vergleich zu branchenüblicher 20-nm-Planartechnologie erreicht.

Die Plattform ist die erste FinFET-Technologie in der Foundry-Industrie, die eine echte Flächenskalierung von 20 nm ermöglicht. Die Technologie bietet höher verdichtete logische Gatter und kleinere SRAM-Bitzellen, um die steigende Nachfrage nach Speicherinhalt in fortschrittlichen SoCs zu erfüllen, während die bewährte Interconnect-Struktur des 20-nm-Prozesses und damit die Vorteile der FinFET-Technologie in Bezug auf Risikominimierung und kurzer Markteinführungszeit beibehalten werden.

Durch diese auf mehrere Jahre angelegte exklusive Technologielizenz sind Prozess-Design-Kits (PDKs) bereits jetzt verfügbar. Diese befähigen Kunden zur Aufnahme ihrer Entwicklungsarbeit anhand von Modellen, Anleitungsfäden und Technologiedateien, die auf den Silikonwerten von 14-nm-FinFET-Testchips basieren. Die Serienfertigung für die 14-nm-FinFET-Technologie ist für Ende 2014 geplant.

„Diese beispiellose Zusammenarbeit wird zu einer globalen Fertigungskapazität für 14-nm-FinFET-Technologie führen, die AMD mit erweiterten Kompetenzen versorgt und uns befähigt, unsere innovative IP-Strategie auf der Grundlage von bahnbrechenden Technologien umzusetzen“, sagte Lisa Su, Senior Vice President und General Manager bei AMD für globale Unternehmensbereiche. „Die Arbeit, die GLOBALFOUNDRIES und Samsung zusammen leisten, wird AMD befähigen, die nächste Generation bahnbrechender Produkte mit neuen Prozess- und Grafikfunktionen hervorzubringen, die in stromsparenden Mobilgeräten, fortschrittlichen kompakten Servern bis zu hochleistungsfähigen eingebetteten Lösungen eingesetzt werden.“

„Diese strategische Partnerschaft erweitert das Wertangebot einer einzigen GDSII-Multisourcing-Lösung für FinFET-Knoten. Mit dieser Multisource-Plattform erleichtern Samsung und GLOBALFOUNDRIES Fabless-Halbleiterunternehmen den Zugang zu FinFET-Technologie und helfen, die Erfolgsrate von Siliziumprojekten zu steigern“, erklärte Dr. Stephen Woo, Präsident von System LSI Business in der Abteilung Device Solutions bei Samsung Electronics. „Durch diese Zusammenarbeit treiben wir das Foundry-Geschäft und -Betreuungsmodell voran und erfüllen die Bedürfnisse unserer Kunden.“

„Die heutige Bekanntgabe verdeutlicht einmal die Bedeutung von Kooperation im Zusammenhang mit kontinuierlicher Innovation in der Halbleiterfertigung“, sagte Sanjay Jha, CEO von GLOBALFOUNDRIES. „Mit dieser in der Branche erstmals verwirklichten Gleichausrichtung von Fertigungskapazitäten für 14-nm-FinFET-Technologie können wir den führenden Fabless-Halbleiterunternehmen mehr Auswahl und Flexibilität anbieten, während wir die Fabless-Branche in die LAge versetzen, sich in ihrer führenden Position am Markt für Mobilgeräte zu behaupten.“

Über Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co. ist ein führendes, global tätiges Technologieunternehmen, das Menschen rund um den Globus neue Möglichkeiten eröffnet. Dank unermüdlicher Innovation und Forschungsarbeit verändern wir die Welt der Fernseher, Smartphones, Tablet-Computer, PCs, Kameras, Haushaltsgeräte, Drucker, LTE-Systeme, medizinischen Geräte, Halbleiter und LED-Lösungen. Wir beschäftigen 286.000 Mitarbeiter in 80 Ländern bei einem jährlichen Umsatz von 216,7 Milliarden US-Dollar. Weitere Informationen finden Sie unter www.samsung.com.

* Hinweis für Redakteure: Das Foundry-Geschäft von Samsung Electronics konzentriert sich auf die Unterstützung von Fabless- und IDM-Halbleiterunternehmen in Form eines umfassenden Leistungsangebots. Dieses setzt sich aus Design-Kits, bewährten IP-Lösungen und einer kompletten Fertigung zusammen und soll den Markterfolg mit fortschrittlichen IC-Designs sichern. Weitere Informationen finden Sie unter www.samsung.com/Foundry

Über GLOBALFOUNDRIES

GLOBALFOUNDRIES ist der weltweit erste Halbleiterhersteller, der ausschließlich Auftragsfertigung betreibt und eine wirklich globale Präsenz hat. Das im März 2009 gegründete Unternehmen hat sich rasch zum zweitgrößten Halbleiterwerk der Welt entwickelt und stellt über 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung bereit. Mit Betrieben in Singapur, Deutschland und den USA ist GLOBALFOUNDRIES das einzige Herstellungsunternehmen, die die Flexibilität und Sicherheit von über drei Kontinente verteilten Fertigungszentren bietet. Die drei 300-mm-Fabs und fünf 200-mm-Fabs des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum von gewöhnlichen bis bahnbrechenden Prozesstechnologien. Diese globale Fertigungskapazität wird von wesentlichen Einrichtungen auf dem Gebiet der Forschung, Entwicklung und des Entwurfs unterstützt, die sich nahe der Zentren der Halbleiteraktivität in den USA, Europa und Asien befinden. GLOBALFOUNDRIES gehört der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter http://www.globalfoundries.com.

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