Sättigungsspannung Bipolartransistoren

16/11/2007 - 16:20 von Michael Rübig | Report spam
Hallo Leute,
bekanntlich redet man bei Bipolartransistoren ja nicht über ein RDSon
sondern über eine Sàttigungsspannung, die typischerweise zwischen 100mV
und 600mV liegen soll.
Schaut man sich die Datenblàtter genauer an, findet man leider immer nur
Angaben bei relativ großen Strömen. Will man aber wie ich nur 100µA
schalten, findet man bei Standardtransistoren (BC817, BC846, ...) keine
brauchbaren Informationen.
Eigene Messungen haben ergeben, dass solche Transistoren durchaus unter
20mV liegen können, was für mich völlig ausreichen würde.

Sucht man nach "Low Saturation" Transistoren, wird man natürlich auch
fündig, allerdings scheint es da keine Standardteile zu geben und auch
die Spezifikation im gewünschten Bereich (1µA bis 1mA) ist oft nicht
vorhanden. Allerdings wird oft ein "equivalent on resistance" angegeben.
http://www.nxp.com/acrobat_download...120T_1.pdf

Hier bin ich mir aber nicht sicher, ob die über den ganzen Strombereich
gilt oder ob es nicht doch einen Spannungsoffset gibt.

Beim BC817 habe ich eine geeignete Kurve im Infineon Datenblatt gefunden:
http://www.infineon.com/dgdl/bc817s...bd526a1bf1

Seite 5 unten rechts. Hier scheint es tatsàchlich einen Spannungsoffset
von ca. 50mV bei 150°C zu geben. Allerdings sind das wohl auch nur
typische Werte, der Max-Wert wàre viel interessanter.

Wie ist das bei den Low-Saturation-Transistoren? Sind die besser, was
den Offset angeht? Beim PBSS4120T ist da natürlich nichts angegeben.


Ich könnte mir das Problem natürlich durch einsatz eines FETs vom Halse
schaffen. Allerdings macht mir hier in meinem Fall die große Toleranz
der Threshold-Spannung wieder zu schaffen. Deshalb würde ich gerne bei
Bipolar bleiben, da weiß ich definitiv, dass der zwischen 0,3 und 0,9V
Ube einschaltet (über ganzen Temperaturbereich).

Michael
 

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#1 MaWin
16/11/2007 - 16:29 | Warnen spam
"Michael Rübig" schrieb im Newsbeitrag
news:

Seite 5 unten rechts. Hier scheint es tatsàchlich einen Spannungsoffset von
ca. 50mV bei 150°C zu geben. Allerdings sind das wohl auch nur typische Werte,
der Max-Wert wàre viel interessanter.
Wie ist das bei den Low-Saturation-Transistoren? Sind die besser, was den
Offset angeht? Beim PBSS4120T ist da natürlich nichts angegeben.




low sat Transistoren sind nicht physikalisch anders, sondern man hat zur
Reduzierung des Widerstandes bei hohen Stroemen den Chip abgeschliffen,
und damit das schlecht leitende Silizium unterhalb des aktiven Chips durch
besser leitenden Kupferdraht ersetzt.

Hier findest du, dass UCEsat bei geringem Strom sogar steigen kann:
http://www.ortodoxism.ro/datasheets.../85113.pdf
und bei hohen Temperaturen hoeher ist.
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.

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