Toshiba und SanDisk feiern Eröffnung der zweiten Phase von Fab 5 und beginnen Bau neuer Fab-2-Halbleiterfertigungsanlage im japanischen Yokkaichi

09/09/2014 - 07:15 von Business Wire
Toshiba und SanDisk feiern Eröffnung der zweiten Phase von Fab 5 und beginnen Bau neuer Fab-2-Halbleiterfertigungsanlage im japanischen Yokkaichi
Toshiba und SanDisk feiern Eröffnung der zweiten Phase von Fab 5 und beginnen Bau neuer Fab-2-Halbleiterfertigungsanlage im japanischen Yokkaichi

Die Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) und die SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) haben heute die Eröffnung der zweiten Phase der Halbleiterfertigungsanlage Nr. 5 (Fab 5) und den Baubeginn der neuen Fertigungsanlage Nr. 2 (Fab 2) im Betrieb von Yokkaichi, dem Toshiba-Werk für NAND Flash-Speicher in der japanischen Präfektur Mie, gefeiert.

Fab5 at Toshiba Yokkaichi Operations (Photo: Business Wire)

Fab5 at Toshiba Yokkaichi Operations (Photo: Business Wire)

Toshiba begann mit dem Bau der zweiten Phase von Fab 5 im August 2013, und Toshiba und SanDisk beaufsichtigen die Installation von Produktionsausrüstungen in der erweiterten Anlage seit Juli dieses Jahres. Die Produktion in Phase 2 begann zu Anfang dieses Monats mit 15-nm-NAND-Flash-Speicher-Prozesstechnologie, dem weltweit kleinsten und fortschrittlichsten Knoten. Toshiba und SanDisk hatten den Einsatz dieses gemeinsam entwickelten 15-nm-NAND-Flash-Verfahrens im April dieses Jahres bekannt gegeben, wobei die ursprüngliche Produktion in einem Teil von Phase 1 in Fab 5 vorgesehen war und jetzt eine Umwandlung der verbleibenden Kapazität in Phase 1 zur neuen Prozesstechnologie angestrebt wird.

Toshiba baut die neue Fab 2, um Raum zur Umwandlung der jetzigen 2D-NAND-Kapazität von Toshiba und SanDisk zu 3D NAND zu schaffen, wobei die Produktionsbereitschaft für 2016 erwartet wird. Toshiba und SanDisk installieren gemeinsam die Produktionsausrüstungen und werden die installierte Kapazität, das Ausstoßziel und den Zeitrahmen nach eingehender Untersuchung der Markttrends festlegen.

Yasuo Naruke, Corporate Executive Vice President der Toshiba Corporation und Präsident und CEO der Semiconductor & Storage Products Company, sagte: „Unsere Absicht, fortschrittliche Technologien zu entwickeln, unterstreicht unsere Selbstverpflichtung, auf die anhaltende Nachfrage nach NAND-Flash-Speichern zu reagieren. Wir sind davon überzeugt, dass uns unser Joint Venture mit SanDisk ermöglichen wird, in der Yokkaichi-Anlage kostengünstige und somit wettbewerbsfähige Speicherprodukte der nächsten Generation zu produzieren.“

Sanjay Mehrotra, Präsident und CEO von SanDisk, sagte: „Wir sind erfreut, die Zusammenarbeit zwischen SanDisk und Toshiba weiterzutreiben und auch die über ein Jahrzehnt währende Partnerschaft beider Unternehmen mit der Stadt Yokkaichi, der Präfektur Mie und mit Japan fortzuführen. Phase 2 von Fab 5 und die zukünftige neue Fab 2 werden beiden Unternehmen die erforderliche Reinraumkapazität zur Verfügung stellen, um unsere installierte NAND-Kapazität auf neue, hochentwickelte Technologie-Knoten zu erweitern.“

Toshiba und SanDisk sehen eine langfristige Steigerung der Nachfrage nach NAND-Flash-Speichern, insbesondere für Smartphones, Tablets und SSDs. Beide Unternehmen werden ihre Wettbewerbsfähigkeit und Marktführerschaft durch die Entwicklung und Produktion fortschrittlicher Flash-Speicher-Technologien weiter stärken.

 

Übersicht über Fab 5 (inkl. Phase 2) im Betrieb von Yokkaichi

Struktur des Gebäudes:     Zweigeschossiger Stahlrahmen, Beton, fünf Stockwerke
Gebäudegrundfläche: Etwa 38.000 m2
Baubeginn: (Phase 1) Juli 2010; (Phase 2) August 2013
Fertigstellung des Gebäudes: (Phase 1) Juli 2011; (Phase 2) September 2014
 
 

Übersicht über die neue Fab 2 im Betrieb von Yokkaichi

Struktur des Gebäudes: Zweigeschossiger Stahlrahmen, Beton, fünf Stockwerke
Gebäudegrundfläche: Etwa 27.300m2
 

Über Toshiba
Die Toshiba Corporation, ein auf der „Fortune Global 500“-Liste geführtes Unternehmen, bringt erstklassige Kapazitäten bei hochentwickelten elektronischen und elektrischen Produkten und Systemen in fünf strategische Geschäftsbereiche ein: Energie und Infrastruktur, Lösungen für das Gemeinwesen, Gesundheitssysteme und -dienstleistungen, elektronische Geräte und Komponenten sowie Lifestyle-Produkte und -Dienstleistungen. In Übereinstimmung mit den Grundprinzipien der Toshiba-Unternehmensgruppe bezüglich „Engagement für Menschen, Einsatz für die Zukunft“ fördert Toshiba die weltweiten Aktivitäten zur Gewährleistung von „Wachstum durch Kreativität und Innovation“ und trägt dazu bei, eine Welt zu schaffen, in der Menschen in jeder Gesellschaft in Sicherheit und Komfort leben können.

Toshiba wurde 1875 in Tokio gegründet und bildet heute den zentralen Knotenpunkt eines Netzwerks von 590 Konzernunternehmen, die weltweit über 200.000 Mitarbeiter beschäftigen und einen Jahresumsatz von über 6,5 Billionen Yen (63 Milliarden US-Dollar) erwirtschaften. Weitere Informationen über Toshiba finden Sie unter www.toshiba.co.jp/index.htm

Über SanDisk
Die SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK), ein auf der „Fortune 500“-Liste und im Index S&P 500 geführtes Unternehmen, ist ein weltweit führender Anbieter von Flash-Speicherlösungen. Seit über 25 Jahren erweitert SanDisk die Möglichkeiten der Informationsspeicherung, indem es bewährte und innovative Produkte bereitstellt, die in der Elektronikindustrie bahnbrechend sind. Heutzutage finden sich die hochmodernen Qualitätslösungen von SanDisk im Zentrum vieler der größten Rechenzentren der Welt sowie eingebettet in den neuesten Smartphones, Tablets und PCs. Die Verbraucherprodukte von SanDisk sind in Tausenden von Einzelhandelsgeschäften weltweit erhältlich. Weitere Informationen finden Sie unter www.sandisk.com.

Zukunftsgerichtete Aussagen von SanDisk

Diese Pressemitteilung enthält bestimmte zukunftsgerichtete Aussagen, darunter Aussagen über Zeitpläne für Abriss und Neubau, unsere Erwartungen hinsichtlich des zeitlichen Ablaufs der ersten Wafer-Produktion, den erwarteten Produktionsschwerpunkt im neuen Reinraum, die Entwicklung neuer Technologien und Produkte wie 3D NAND sowie die Marktführerschaft im Bereich NAND-Speicher. Es gibt eine Reihe von Risiken und Ungewissheiten, die dazu führen können, dass sich diese zukunftsgerichteten Aussagen als falsch erweisen. Hierzu zählen unter anderem: allgemeine betriebliche und wirtschaftliche Bedingungen, die Unfähigkeit zur Entwicklung oder unerwartete Schwierigkeiten beziehungsweise Verzögerungen bei der Entwicklung, aber auch Probleme mit den erwarteten Fertigungserträgen neuer Technologien wie 3D NAND, sowie das Versagen dieser neuen Technologien im Wettbewerb mit den Produkten unserer Konkurrenten, Bauschwierigkeiten oder -verzögerungen, die Unfähigkeit, definitive Vereinbarungen mit Toshiba über die neue Fab 2 zu erzielen, die weiteren Risiken, die regelmäßig in unseren Einreichungen und Berichten an die US-Börsenaufsichtsbehörde SEC ausgeführt werden, wie unter anderem in unserem jüngsten Quartalsbericht auf Formblatt 10-Q. Wir beabsichtigen nicht, die in dieser Pressemitteilung enthaltenen Informationen zu aktualisieren.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

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Megumi Genchi / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Communication IR Promotion Group
Abteilung Geschäftsplanung
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
oder
SanDisk Corporation
Ansprechpartner für Medien:
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Ansprechpartner für Anleger:
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Brendan Lahiff, +1-408-801-1732
brendan.lahiff@sandisk.com


Source(s) : Toshiba Semiconductor & Storage Products Company