Wenn ich im 12.Sem für die Klausur Quantenmechanik Zwei (Periodische Potentiale und Festkörper) lerne dann schickt mir die große Dame von der Sporthochschule alle Liebesbriefe zurück

31/05/2016 - 14:16 von ‎EgyptAir | Report spam
 

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#1 ‎EgyptAir
31/05/2016 - 20:30 | Warnen spam
Ich mußte 1986 in Quantenmechanik II und in meiner Doktorarbeit unbedingt das EEPROM erfinden bevor mir INTEL zuvorkommt !!!

Doch die Dame von der Sporthochschule SCHICKT 1986 ALLE MEINE BRIEFE ZURÜCK !

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Intel war das erste Unternehmen, das Flash-Speicher in Stückzahlen produzierte und auf den Markt brachte. 1988 stellte der Konzern eine 256 kbit-Flash-Chip vor, dessen Ausmaße dem eines Schuhkartons entsprachen. Intel demonstrierte die Vorzüge des "eingebetteten Speichers" anhand eines recht frühen Voice-Rekorders, der locker das Volumen eines Aktenkoffers ausfüllte.

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Mit meinen Quantenmechanik-Rechnungen zum Fowler-Nordheim-Tunneln wollte ich im Jahr 1986 nicht nur EUROPAWEIT SONDERN WELTWEIT DIE NUMMER 1 WERDEN !!!!!

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Ein EEPROM besteht aus einer Matrix aus Feldeffekttransistoren mit isoliertem Steueranschluss, in der jeder Transistor ein Bit repràsentiert.

Beim Programmiervorgang wird auf das Floating Gate eine Ladung eingebracht, die nur durch den Löschvorgang wieder entfernt werden kann. Im Normalbetrieb bleibt die Ladung auf dem vollstàndig isolierten Gate erhalten.

Bei UV-löschbaren EPROMs wird die Ladung durch Injektion heißer Ladungstràger auf das Gate gebracht und kann nur durch Bestrahlung mit UV-Licht wieder entfernt werden, wàhrend bei EEPROMs sowohl beim Schreiben als auch Löschen die Ladung durch Fowler-Nordheim-Tunneln auf das isolierte Gate aufgebracht bzw. entfernt wird.

Beim Flash hingegen wird die Ladung beim Schreiben durch HCI auf das Gate aufgebracht und beim Löschen durch Fowler-Nordheim-Tunneln wieder entfernt.

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